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京存9000系列Nvme全闪存储是一款专门应对海量小文件数据处理高IOPS的高性能存储

其随机读写带宽和随机读写IOPS性能较传统NVme和SSD全闪存储性能提升2倍以上，也就意味着，以前用传统存储10个小时完成的数据处理工作，现在只需要2小时即可完成。

京存9000系列Nvme全闪存储是一款高性能、低延时、高扩展性的存储产品。它融合了前沿的数据存储技术，包括SCM（存储级内存）、NVMe（非易失性内存主机控制器接口规范）SSD（固态硬盘），并借助RDMA（远程直接数据存取）网络，在处理海量数据时具备极快的速度。在如今数据密集型应用不断涌现的背景下，全闪存存储能够高效应对由此带来的挑战，为数据处理提供强大的支持。

主要应用:满足EDA设计、AI仿真、工业制造、科学计算、自动驾驶、航天测绘、基因测序等高性能计算和高性能数据分析应用领域的使用需求。

结合半导体行业实际应用场景将其分为设计研发和生产制造两个环节

1.EDA设计研发数据存储

在半导体领域，电子设计自动化（EDA）举足轻重。随着芯片集成度与复杂度提升，传统设计方法力不从心，EDA 技术则提供高效方案。 EDA 可缩短产品设计到量产周期，助企业在竞争中领先，堪称芯片设计制造的“引擎”。 如同“引擎”需要稳固底座，EDA 业务平台也需高效存储系统作为数据支撑，这是 EDA 仿真验证的关键。

EDA设计分为前端和后端业务

前端业务涵盖编码设计与设计验证，过程需多次迭代，产生大量仿真工作。创建、调度和执行的效率，直接影响芯片上市时间。此环节常涉及海量 4K/8K 文件的随机访问，对元数据访问性能是极大挑战。

后端业务包含后端设计和流片，涉及数据准备、布局布线、物理验证、IC 图分发及芯片制造等。该阶段以顺序访问数据为主，文件吞吐量高，并行访问带宽、用户权限管理、共享存储，以及网表和 IC 图的长期保存等，都是亟待攻克的难题。

2.半导体生产制造数据存储

解决其数据处理难题

处理能力需求：半导体制造日产数 TB 工艺与检测数据，平台需高效处理并支持扩展，应对未来数据增长。

数据源复杂：业务数据分散在 Oracle、MySQL 等多种数据库，平台要兼容现有并适应新类型。

数据孤岛：企业系统互不连通，团队独立工作，引发冗余、兼容问题和系统错误，加大知识产权保护难度，且需合规。

数据安全隐患

传输安全风险：研发数据泄露会影响竞争力，存在传输中窃取篡改、病毒传播、内部违规操作等风险。

数据保护挑战：产业数据价值高，核心机密外泄损失大，面临内部泄漏、同行窃取等问题。

传输效率问题

跨网传输大容量文件，研发生产对时效要求高，低效传输会拖慢研发与交付，网络不稳还会有中断重传问题。

别急，京存存储应对芯片设计，半导体生产流程，提供高效数据存储解决方案

高性能大容量：京存9000系列Nvme全闪存储和京存7000系列高性能混闪存储具备高IOPS，高带宽，带宽高达10-50GB/S，随机4K高达300万IOPS，高扩展PB级大容量配置，配置10GE/25GE/40GE/100GE RDMA• 采用RDMA 技术，提供高数据传输速率，满足高性能计算需求。能让半导体产业在随机访问和顺序读写的场景下，都获得更快的响应速度，成功突破 EDA 前端设计存储时面临的 I/O 性能瓶颈和后端设计中高带宽，高IOPS及大容量的多种要求。

共享协作：此外，京存支持 NFS、iSCSI、SMB 、CIFS等多种协议，支持跨平台、跨地域的数据/文件共享协作，提升了生产制造中共享协作效率，降低沟通成本。可轻松应对不同业务终端数据的集中存储。

数据安全：支持实时，定时数据备份，快照，防删除等多重数据保护，不会被勒索病毒锁定而无法恢复使用。京存嵌入式存储OS软件可实时监控存储资源使用、性能状态等关键指标，及时发现问题或故障。其细分权限设置可防止关键设计信息外泄，保障生产系统稳定运行。

在风云变幻、多元复杂的半导体行业，数字化是驱动产业前行的核心力量，数据精准应用与高效管理是行业稳定运转的关键。京存在半导体设计与制造领域担当重要后勤管理角色，以先进技术和卓越方案为客户搭建数据桥梁，应对数据读写、存储及管理难题。让半导体企业专注核心业务创新，为行业发展注入动力。