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产品概况
京存9000系列NVMe全闪存储，专为高性能场景设计的存储方案。是一款可提供NAS和SAN应用的企业级高端全闪存储设备，专为I/O密集型应用程序而设计的。支持NVMe SSD U.2接口的硬盘插槽，单套系统可高达2000,000 IOPS随机读写。
顺序读写速度可达50GiB/s以上，4K随机读写IOPS最高能突破1300K，端到端延迟可低至0.3毫秒，相比传统SAS/SATA存储性能提升数倍甚至数十倍。适用于汽车自动驾驶、基因分析、三维渲染、芯片设计、人工智能大模型等行业应用需求。
